Turinys:
Apibrėžimas - ką reiškia „Perfect RAM“?
Puiki RAM yra nestabilios laisvosios kreipties atminties rūšis. Jis saugo duomenis pakeisdamas naudojamos medžiagos būseną; chalkogenido stiklas persijungia tarp būsenų, kai jis yra veikiamas šilumos, kurią sukuria praeinant elektros srovei. Mikroskopiniu lygmeniu duomenys keičiasi pirmyn ir atgal tarp dviejų būsenų: amorfinio ir kristalinio.
Puiki RAM yra viena iš kelių atminties technologijų, konkuruojančių dėl „flash“ atminties pakeitimo, kuri turi daugybę problemų.
Šis terminas taip pat žinomas kaip PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM ir Phase-Change Memory (PCM).
„Techopedia“ paaiškina tobulą RAM
Amorfinėje būsenoje (arba netvarkingoje fazėje) medžiaga turi didelę elektrinę varžą. Kristalinėje būsenoje (arba užsakytoje fazėje) jis turi mažiau atsparumo. Taigi leidžiama įjungti ir išjungti elektros srovę, kuri rodo aukštą ir žemą skaitmeninę būseną, atitinkančią dvejetainio kodo 1 ir 0 reikšmes. Naujausi tyrimai atrado dvi papildomas būsenas, kurios efektyviai padidina saugojimo talpą.
„Flash“ atminties įrašymo laikas yra apie vieną milisekundę duomenų blokui, 100 000 kartų didesnis nei tipinis baito 10 nanosekundžių (ns) skaitymo laikas naudojant statinę laisvosios kreipties atmintį (SRAM). Puiki RAM gali pasiūlyti daug didesnį našumą, kai svarbu greitai rašyti. „Flash“ atmintis blogėja su kiekviena įtampa. Tobuli RAM įrenginiai taip pat blogėja, tačiau daug lėčiau. Šie prietaisai gali ištverti apie 100 milijonų rašymo ciklų. Tobulą RAM eksploatavimo laiką riboja šiluminis plėtimasis programavimo metu, metalų migracija ir nežinomi mechanizmai.
Kai kurie tobulos RAM technologijos iššūkiai yra aukšto programavimo srovės tankio reikalavimas (tikslus srovės valdymas), ilgalaikio pasipriešinimo (nuolatinis atsparumas elektros srovei) ir slenksčio įtampos dreifas (tikslus elektros įtampos valdymas). mikroskopinis lygis. „Hewlett-Packard“, „Samsung“, „STMicroelectronics“ ir „Numonyx“, be kitų, tiria šiuos iššūkius.
